Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > DSK10E-BT
DSK10E-BT
DSK10E-BT
Αριθμός εξαρτήματος:
DSK10E-BT
Κατασκευαστής:
ON Semiconductor
Περιγραφή:
DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
75929 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
DSK10E-BT.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply DSK10E-BT, use the request quote form to request DSK10E-BT pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number DSK10E-BT.The price and lead time for DSK10E-BT depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# DSK10E-BT.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-DSK10E-BT
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Τάσης - Peak Reverse (Max):Standard
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν:1A
Τάσης - Ανάλυση:-
Σειρά:-
Κατάσταση RoHS:Tape & Reel (TR)
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR):Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Αντίσταση @ Αν, F:-
Πόλωση:R-1 (Axial)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή:DSK10E-BT
Διευρυμένη περιγραφή:Diode Standard 400V 1A Through Hole
Διαμόρφωση δίοδος:10µA @ 400V
Περιγραφή:DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr:1.1V @ 1A
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode):400V
Χωρητικότητα @ VR, F:150°C (Max)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για DSK10E-BT

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
DSK5J01P0L Image DSK5J01P0L Panasonic JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B Έρευνα
DSK-3R3H334T-HL Image DSK-3R3H334T-HL Elna America CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD Έρευνα
MBRF10100HC0G Image MBRF10100HC0G TSC (Taiwan Semiconductor) DIODE SCHOTTKY 100V 10A ITO220AC Έρευνα
DSK10C-AT1 Image DSK10C-AT1 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Έρευνα
DSK5J01Q0L Image DSK5J01Q0L Panasonic JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B Έρευνα
DSK10E-AT1 Image DSK10E-AT1 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Έρευνα
DSK-3R3H703T414-HLL Image DSK-3R3H703T414-HLL Elna America CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD Έρευνα
SURA8140T3G Image SURA8140T3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor DIODE GEN PURP 400V 1A SMA Έρευνα
DSK10B-AT1 Image DSK10B-AT1 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL Έρευνα
DSK9J01P0L Image DSK9J01P0L Panasonic JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3 Έρευνα
DSK10C Image DSK10C ON Semiconductor DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Έρευνα
DSK10E Image DSK10E ON Semiconductor DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Έρευνα
DSK10C-BT Image DSK10C-BT ON Semiconductor DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Έρευνα
DSK10B Image DSK10B ON Semiconductor DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL Έρευνα
DSK-3R3H703T414-HRL Image DSK-3R3H703T414-HRL Elna America CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD Έρευνα
DSK-3R3H204T614-H2L Image DSK-3R3H204T614-H2L Elna America CAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD Έρευνα
DSK10E-ET1 Image DSK10E-ET1 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Έρευνα
DSK10C-ET1 Image DSK10C-ET1 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Έρευνα
DSK-3R3H224U-HL Image DSK-3R3H224U-HL Elna America CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD Έρευνα
DSK10B-BT Image DSK10B-BT ON Semiconductor DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL Έρευνα

Latest Ειδήσεις