Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > DSK10B
DSK10B
DSK10B
Αριθμός εξαρτήματος:
DSK10B
Κατασκευαστής:
ON Semiconductor
Περιγραφή:
DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
80181 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
DSK10B.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply DSK10B, use the request quote form to request DSK10B pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number DSK10B.The price and lead time for DSK10B depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# DSK10B.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-DSK10B
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Τάσης - Peak Reverse (Max):Standard
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν:1A
Τάσης - Ανάλυση:-
Σειρά:-
Κατάσταση RoHS:Bulk
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR):Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Αντίσταση @ Αν, F:-
Πόλωση:Axial
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή:DSK10B
Διευρυμένη περιγραφή:Diode Standard 100V 1A Through Hole
Διαμόρφωση δίοδος:10µA @ 100V
Περιγραφή:DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr:1.1V @ 1A
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode):100V
Χωρητικότητα @ VR, F:150°C (Max)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για DSK10B

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
DSK5J01Q0L Image DSK5J01Q0L Panasonic JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B Έρευνα
DSK5J01P0L Image DSK5J01P0L Panasonic JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B Έρευνα
DSK10B-BT Image DSK10B-BT ON Semiconductor DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL Έρευνα
CMR3U-10M TR13 Image CMR3U-10M TR13 Central Semiconductor DIODE GEN PURP 1000V 3A SMC Έρευνα
DSK10C-ET1 Image DSK10C-ET1 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Έρευνα
DSK-3R3H204T614-H2L Image DSK-3R3H204T614-H2L Elna America CAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD Έρευνα
DSK10E-AT1 Image DSK10E-AT1 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Έρευνα
DSK10E-BT Image DSK10E-BT ON Semiconductor DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Έρευνα
DSK10C-BT Image DSK10C-BT ON Semiconductor DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Έρευνα
DSK-3R3H334T-HL Image DSK-3R3H334T-HL Elna America CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD Έρευνα
DSK-3R3H703T414-HLL Image DSK-3R3H703T414-HLL Elna America CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD Έρευνα
S2JA R3G Image S2JA R3G TSC (Taiwan Semiconductor) DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC Έρευνα
DSK9J01P0L Image DSK9J01P0L Panasonic JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3 Έρευνα
DSK-3R3H224U-HL Image DSK-3R3H224U-HL Elna America CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD Έρευνα
DSK10E-ET1 Image DSK10E-ET1 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Έρευνα
DSK10C-AT1 Image DSK10C-AT1 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Έρευνα
DSK10C Image DSK10C ON Semiconductor DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Έρευνα
DSK10B-AT1 Image DSK10B-AT1 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL Έρευνα
DSK-3R3H703T414-HRL Image DSK-3R3H703T414-HRL Elna America CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD Έρευνα
DSK10E Image DSK10E ON Semiconductor DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Έρευνα

Latest Ειδήσεις