Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - IGBTs - Single > APT102GA60B2
APT102GA60B2
APT102GA60B2
Αριθμός εξαρτήματος:
APT102GA60B2
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
IGBT 600V 183A 780W TO247
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
88648 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
APT102GA60B2.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply APT102GA60B2, use the request quote form to request APT102GA60B2 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT102GA60B2.The price and lead time for APT102GA60B2 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT102GA60B2.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-APT102GA60B2
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 62A
Test Condition:400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V
Td (on / off) στους 25 ° C:28ns/212ns
εναλλαγή Ενέργειας:1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
Σειρά:POWER MOS 8™
Ισχύς - Max:780W
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3 Variant
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Τύπος εισόδου:Standard
IGBT Τύπος:PT
πύλη Χρέωση:294nC
Λεπτομερής περιγραφή:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole
Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM):307A
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):183A
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT102GA60B2

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT10M11B2VFRG Image APT10M11B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Έρευνα
APT10M07JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP Έρευνα
APT100GT120JU2 Image APT100GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 140A 480W SOT227 Έρευνα
APT10M11JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP Έρευνα
APT100GT60JRDQ4 Image APT100GT60JRDQ4 Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT227 Έρευνα
APT100GT60JR Image APT100GT60JR Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT227 Έρευνα
APT10DC120HJ Image APT10DC120HJ Microsemi DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 Έρευνα
APT100S20BG Image APT100S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247 Έρευνα
APT10SCD120B Image APT10SCD120B Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 Έρευνα
APT100GT60B2RG Image APT100GT60B2RG Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT247 Έρευνα
APT100GT120JU3 Image APT100GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 140A 480W SOT227 Έρευνα
APT100MC120JCU2 Image APT100MC120JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP Έρευνα
APT10M11JVRU3 Image APT10M11JVRU3 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Έρευνα
APT102GA60L Image APT102GA60L Microsemi IGBT 600V 183A 780W TO264 Έρευνα
APT100S20LCTG Image APT100S20LCTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264 Έρευνα
APT106N60B2C6 Image APT106N60B2C6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 Έρευνα
APT10M11JVRU2 Image APT10M11JVRU2 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Έρευνα
APT100M50J Image APT100M50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 Έρευνα
APT100GT120JRDQ4 Image APT100GT120JRDQ4 Microsemi IGBT 1200V 123A 570W SOT227 Έρευνα
APT10M09B2VFRG Image APT10M09B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Έρευνα

Latest Ειδήσεις