Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Дискретни полупроводникови продукти > Транзистори - IGBT - единични > APT102GA60B2
APT102GA60B2
APT102GA60B2
Номер на частта:
APT102GA60B2
Производител:
Microsemi
описание:
IGBT 600V 183A 780W TO247
Статус на RoHS:
Без олово / RoHS съвместим
Количество на склад:
88648 Pieces
Време за доставка:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Време за производство:
4-8 weeks
Информационен лист:
APT102GA60B2.pdf
Разследване

Въведение

We can supply APT102GA60B2, use the request quote form to request APT102GA60B2 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT102GA60B2.The price and lead time for APT102GA60B2 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT102GA60B2.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификации

Вътрешен номер на част RO-APT102GA60B2
състояние Original New
Произход на страната Contact us
Най-висока маркировка email us
Замяна See datasheet
Напрежение - Разпределение на излъчвателя на колектора (макс.):600V
Vce (включено) (Max) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 62A
Тестово състояние:400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V
Td (включено / изключено) @ 25 ° C:28ns/212ns
Превключване на енергия:1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
серия:POWER MOS 8™
Мощност - макс:780W
Опаковка:Tube
Пакет / касета:TO-247-3 Variant
Работна температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж:Through Hole
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Тип на въвеждане:Standard
Тип IGBT:PT
Зареждане на порта:294nC
Подробно описание:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole
Текущ - колектор пулсиращ (Icm):307A
Ток - колектор (Ic) (макс.):183A
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за APT102GA60B2

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
APT10M11B2VFRG Image APT10M11B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Разследване
APT10M07JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP Разследване
APT100GT120JU2 Image APT100GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 140A 480W SOT227 Разследване
APT10M11JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP Разследване
APT100GT60JRDQ4 Image APT100GT60JRDQ4 Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT227 Разследване
APT100GT60JR Image APT100GT60JR Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT227 Разследване
APT10DC120HJ Image APT10DC120HJ Microsemi DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 Разследване
APT100S20BG Image APT100S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247 Разследване
APT10SCD120B Image APT10SCD120B Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 Разследване
APT100GT60B2RG Image APT100GT60B2RG Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT247 Разследване
APT100GT120JU3 Image APT100GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 140A 480W SOT227 Разследване
APT100MC120JCU2 Image APT100MC120JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP Разследване
APT10M11JVRU3 Image APT10M11JVRU3 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Разследване
APT102GA60L Image APT102GA60L Microsemi IGBT 600V 183A 780W TO264 Разследване
APT100S20LCTG Image APT100S20LCTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264 Разследване
APT106N60B2C6 Image APT106N60B2C6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 Разследване
APT10M11JVRU2 Image APT10M11JVRU2 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Разследване
APT100M50J Image APT100M50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 Разследване
APT100GT120JRDQ4 Image APT100GT120JRDQ4 Microsemi IGBT 1200V 123A 570W SOT227 Разследване
APT10M09B2VFRG Image APT10M09B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Разследване

Latest News