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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > VP0808B-2
VP0808B-2
VP0808B-2
Modèle de produit:
VP0808B-2
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
Statut RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
la quantité en dépôt:
50276 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
VP0808B-2.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-VP0808B-2
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-39
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5 Ohm @ 1A, 10V
Dissipation de puissance (max):6.25W (Ta)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:150pF @ 25V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):80V
Description détaillée:P-Channel 80V 880mA (Ta) 6.25W (Ta) Through Hole TO-39
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:880mA (Ta)
Email:[email protected]

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