UMB4NFHATN
- Modèle de produit:
- UMB4NFHATN
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 68718 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.UMB4NFHATN.pdf2.UMB4NFHATN.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-UMB4NFHATN |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Transistor Type: | 2 PNP Pre-Biased (Dual) |
| Package composant fournisseur: | UMT6 |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101 |
| Puissance - Max: | 150mW |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Autres noms: | UMB4NFHATNDKR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 7 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 250MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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