UMB2NFHATN
- Modèle de produit:
- UMB2NFHATN
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 86336 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.UMB2NFHATN.pdf2.UMB2NFHATN.pdf
introduction
We can supply UMB2NFHATN, use the request quote form to request UMB2NFHATN pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number UMB2NFHATN.The price and lead time for UMB2NFHATN depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# UMB2NFHATN.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-UMB2NFHATN |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | - |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor Type: | 2 PNP Pre-Biased (Dual) |
| Package composant fournisseur: | UMT6 |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101 |
| Puissance - Max: | 150mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Autres noms: | UMB2NFHATNTR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 7 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 250MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 68 @ 5mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | - |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes UMB2NFHATN
Latest Nouvelles
- Principe de travail du condensateur
- Renesas est le premier à lancer un RISC-V MCU universel 32 bits avec le noyau CPU à développer auto-développé
- Sur le capteur d'image à faible puissance d'Anmei face au système visuel moderne
- ADI coopère avec BMW Group pour lancer la principale technologie Ethernet de 10 Mo de l'industrie, ouvrant un nouveau chapitre dans les automobiles de définition de logiciels
- Vishay lance le potentiomètre du bouton, simplifiant la conception des applications industrielles et audio et l'optimisation des coûts
- Toshiba lance le pilote de porte SmartMCD Série IC avec microcontrôleur intégré
- Kit ADI Deployment Sambanova, faisant la promotion de la formule de production AI pour réaliser une percée au niveau de l'entreprise
- Honeywell et Adi se sont joints à la promotion de l'innovation et du changement d'automatisation du bâtiment
- Maxim a annoncé le lancement
- Maxim lance une voiture DC-DC Converter Max16984, une voiture avec des énumeurs de charge USB intégrés
- Renesas Electronics lance le premier conducteur électrique programmable de l'industrie IC
- Renesas a lancé la première génération de noyau CPU RISC-V 32 bits