TSM80N950CP ROG
TSM80N950CP ROG
Modèle de produit:
TSM80N950CP ROG
Fabricant:
TSC (Taiwan Semiconductor)
La description:
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
76708 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
TSM80N950CP ROG.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-TSM80N950CP ROG
État Original New
Pays d'origine Contact us
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Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-252, (D-Pak)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:950 mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max):110W (Tc)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:TSM80N950CP ROGDKR
TSM80N950CP ROGDKR-ND
TSM80N950CPROGDKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant:30 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:691pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:19.6nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):800V
Description détaillée:N-Channel 800V 6A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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