TSM150NB04LCR RLG
- Modèle de produit:
- TSM150NB04LCR RLG
- Fabricant:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- La description:
- MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
- la quantité en dépôt:
- 70311 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- TSM150NB04LCR RLG.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-TSM150NB04LCR RLG |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-PDFN (5x6) |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 15 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 3.1W (Ta), 56W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerLDFN |
| Autres noms: | TSM150NB04LCRRLGTR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 966pF @ 20V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 40V |
| Description détaillée: | N-Channel 40V 10A (Ta), 41A (Tc) 3.1W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 10A (Ta), 41A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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