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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > TP65H035WS
TP65H035WS
TP65H035WS
Modèle de produit:
TP65H035WS
Fabricant:
Transphorm
La description:
650 V 46.5 CASCODE GAN FET
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
67271 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
TP65H035WS.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-TP65H035WS
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:4.8V @ 700µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Package composant fournisseur:TO-247-3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:41 mOhm @ 30A, 8V
Dissipation de puissance (max):156W (Tc)
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant:15 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1500pF @ 400V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 8V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):8V
Tension drain-source (Vdss):650V
Description détaillée:N-Channel 650V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:46.5A (Tc)
Email:[email protected]

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