STH3N150-2
STH3N150-2
Modèle de produit:
STH3N150-2
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
30433 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
STH3N150-2.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-STH3N150-2
État Original New
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Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:H²PAK
Séries:PowerMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9 Ohm @ 1.3A, 10V
Dissipation de puissance (max):140W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Autres noms:497-13876-1
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:939pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:29.3nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):1500V
Description détaillée:N-Channel 1500V 2.5A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount H²PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2.5A (Tc)
Email:[email protected]

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