STH310N10F7-6
- Modèle de produit:
- STH310N10F7-6
- Fabricant:
- STMicroelectronics
- La description:
- MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 89952 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- STH310N10F7-6.pdf
introduction
We can supply STH310N10F7-6, use the request quote form to request STH310N10F7-6 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number STH310N10F7-6.The price and lead time for STH310N10F7-6 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# STH310N10F7-6.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-STH310N10F7-6 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.8V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | H2PAK-6 |
| Séries: | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.5 mOhm @ 60A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 315W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Autres noms: | 497-13586-2 STH310N10F76 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 38 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 12800pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 100V |
| Description détaillée: | N-Channel 100V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 180A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes STH310N10F7-6
Latest Nouvelles
- L'interrupteur à haut bord du double canal semi-conducteur apporte plus de flexibilité à la conception du lecteur de chargement de capacité
- ST Semiconductor lance des produits en carbure de silicium de troisième génération pour promouvoir le développement futur des véhicules électriques et des applications industrielles.
- Le microcontrôleur de STM32 leader dans le marché des semi-conducteurs accélère le développement de produits sans fil