SQ4917EY-T1_GE3
- Modèle de produit:
- SQ4917EY-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay / Siliconix
- La description:
- MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 53020 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SQ4917EY-T1_GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-SQ4917EY-T1_GE3 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Test: | 1910pF @ 30V |
| Tension - Ventilation: | 8-SO |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 48 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8A (Tc) |
| Puissance - Max: | 5W (Tc) |
| Polarisation: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | SQ4917EY-T1_GE3TR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
| Référence fabricant: | SQ4917EY-T1_GE3 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 65nC @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| Fonction FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Description élargie: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Tension drain-source (Vdss): | Standard |
| La description: | MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 60V |
| Email: | [email protected] |
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