Numéro de pièce interne | RO-SPB03N60C3ATMA1 |
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État | Original New |
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Remplacement | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 135µA |
Vgs (Max): | ±20V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | PG-TO263-3-2 |
Séries: | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 2A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 38W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Autres noms: | SP000013517 SPB03N60C3 SPB03N60C3ATMA1TR SPB03N60C3INTR SPB03N60C3INTR-ND SPB03N60C3XT SPB03N60C3XTINTR SPB03N60C3XTINTR-ND |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 400pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 650V |
Description détaillée: | N-Channel 650V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 3.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |