SIHB22N60ET1-GE3
- Modèle de produit:
- SIHB22N60ET1-GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET N-CH 600V 21A TO263
- la quantité en dépôt:
- 62655 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SIHB22N60ET1-GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-SIHB22N60ET1-GE3 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-263 (D²Pak) |
| Séries: | E |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 227W (Tc) |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms: | SIHB22N60ET1-GE3CT |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1920pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 86nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 600V |
| Description détaillée: | N-Channel 600V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 21A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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