SI7326DN-T1-GE3
- Modèle de produit:
- SI7326DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay / Siliconix
- La description:
- MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 67471 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SI7326DN-T1-GE3.pdf
introduction
We can supply SI7326DN-T1-GE3, use the request quote form to request SI7326DN-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI7326DN-T1-GE3.The price and lead time for SI7326DN-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI7326DN-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-SI7326DN-T1-GE3 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Test: | - |
| Tension - Ventilation: | PowerPAK® 1212-8 |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 19.5 mOhm @ 10A, 10V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries: | TrenchFET® |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6.5A (Ta) |
| Polarisation: | PowerPAK® 1212-8 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 15 Weeks |
| Référence fabricant: | SI7326DN-T1-GE3 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 13nC @ 5V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.8V @ 250µA |
| Fonction FET: | N-Channel |
| Description élargie: | N-Channel 30V 6.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Tension drain-source (Vdss): | - |
| La description: | MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 30V |
| Ratio de capacité: | 1.5W (Ta) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes SI7326DN-T1-GE3
Latest Nouvelles
- Toshiba lance le pilote de porte SmartMCD Série IC avec microcontrôleur intégré
- Kit ADI Deployment Sambanova, faisant la promotion de la formule de production AI pour réaliser une percée au niveau de l'entreprise
- Honeywell et Adi se sont joints à la promotion de l'innovation et du changement d'automatisation du bâtiment
- Maxim a annoncé le lancement
- Maxim lance une voiture DC-DC Converter Max16984, une voiture avec des énumeurs de charge USB intégrés
- Renesas Electronics lance le premier conducteur électrique programmable de l'industrie IC
- Renesas a lancé la première génération de noyau CPU RISC-V 32 bits
- Vishay a lancé le nouveau couplage de lumière à faible puissance de 10 MBD, aussi bas que 5 mA, la plage de tension est de 2,7 V à 5,5 V
- Melexis a lancé une nouvelle solution de divertissement intelligente pour intégrer une sécurité fiable
- Toshiba a développé le premier module MOSFET à double carbure de l'industrie de l'industrie pour aider l'efficacité et la miniaturisation des équipements industriels
- L'ère DDR5 approche et de nouveaux défis ne peuvent pas être ignorés
- Renesas ouvre la carte de l'itinéraire du processeur de processeur MCU SOC-Génération et MCU