Numéro de pièce interne | RO-SI7326DN-T1-E3 |
---|---|
État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.8V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±25V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | PowerPAK® 1212-8 |
Séries: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 19.5 mOhm @ 10A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 1.5W (Ta) |
Emballage: | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte: | PowerPAK® 1212-8 |
Autres noms: | SI7326DN-T1-E3CT |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 33 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 5V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 30V |
Description détaillée: | N-Channel 30V 6.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 6.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |