RT1A050ZPTR
RT1A050ZPTR
Modèle de produit:
RT1A050ZPTR
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET P-CH 12V 5A TSST8
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
76294 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.RT1A050ZPTR.pdf2.RT1A050ZPTR.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-RT1A050ZPTR
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±10V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-TSST
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:26 mOhm @ 5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):600mW (Ta)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-SMD, Flat Lead
Autres noms:RT1A050ZPCT
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2800pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:34nC @ 4.5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):12V
Description détaillée:P-Channel 12V 5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

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