RN2610(TE85L,F)
- Modèle de produit:
- RN2610(TE85L,F)
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 62882 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- RN2610(TE85L,F).pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-RN2610(TE85L,F) |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Package composant fournisseur: | SM6 |
| Séries: | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | - |
| Résistance - Base (R1): | 4.7 kOhms |
| Puissance - Max: | 300mW |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | SC-74, SOT-457 |
| Autres noms: | RN2610(TE85LF)CT |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 200MHz |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 1mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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