RN2610(TE85L,F)
- Número de pieza:
- RN2610(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 62882 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- RN2610(TE85L,F).pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-RN2610(TE85L,F) |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo de transistor: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Paquete del dispositivo: | SM6 |
| Serie: | - |
| Resistor - Base del emisor (R2): | - |
| Resistor - Base (R1): | 4.7 kOhms |
| Potencia - Max: | 300mW |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | SC-74, SOT-457 |
| Otros nombres: | RN2610(TE85LF)CT |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición: | 200MHz |
| Descripción detallada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 1mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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