Numéro de pièce interne | RO-RN1101ACT(TPL3) |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 150mV @ 500µA, 5mA |
Transistor Type: | NPN - Pre-Biased |
Package composant fournisseur: | CST3 |
Séries: | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 4.7 kOhms |
Résistance - Base (R1): | 4.7 kOhms |
Puissance - Max: | 100mW |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | SC-101, SOT-883 |
Autres noms: | RN1101ACT (TPL3) RN1101ACT(TPL3)TR |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 30 @ 10mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 80mA |
Email: | [email protected] |