RF4E080GNTR
- Modèle de produit:
- RF4E080GNTR
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 52772 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.RF4E080GNTR.pdf2.RF4E080GNTR.pdf
introduction
We can supply RF4E080GNTR, use the request quote form to request RF4E080GNTR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number RF4E080GNTR.The price and lead time for RF4E080GNTR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# RF4E080GNTR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-RF4E080GNTR |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | HUML2020L8 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 17.6 mOhm @ 8A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 2W (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerUDFN |
| Autres noms: | RF4E080GNTRTR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 40 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 295pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.8nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| Description détaillée: | N-Channel 30V 8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes RF4E080GNTR
Latest Nouvelles
- Toshiba lance le pilote de porte SmartMCD Série IC avec microcontrôleur intégré
- Kit ADI Deployment Sambanova, faisant la promotion de la formule de production AI pour réaliser une percée au niveau de l'entreprise
- Honeywell et Adi se sont joints à la promotion de l'innovation et du changement d'automatisation du bâtiment
- Maxim a annoncé le lancement
- Maxim lance une voiture DC-DC Converter Max16984, une voiture avec des énumeurs de charge USB intégrés
- Renesas Electronics lance le premier conducteur électrique programmable de l'industrie IC
- Renesas a lancé la première génération de noyau CPU RISC-V 32 bits
- Vishay a lancé le nouveau couplage de lumière à faible puissance de 10 MBD, aussi bas que 5 mA, la plage de tension est de 2,7 V à 5,5 V
- Melexis a lancé une nouvelle solution de divertissement intelligente pour intégrer une sécurité fiable
- Toshiba a développé le premier module MOSFET à double carbure de l'industrie de l'industrie pour aider l'efficacité et la miniaturisation des équipements industriels
- L'ère DDR5 approche et de nouveaux défis ne peuvent pas être ignorés
- Renesas ouvre la carte de l'itinéraire du processeur de processeur MCU SOC-Génération et MCU