NSVDTC123JM3T5G
- Modèle de produit:
- NSVDTC123JM3T5G
- Fabricant:
- ON Semiconductor
- La description:
- SOT-723 BIAS RESISTOR
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 84573 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- NSVDTC123JM3T5G.pdf
introduction
We can supply NSVDTC123JM3T5G, use the request quote form to request NSVDTC123JM3T5G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NSVDTC123JM3T5G.The price and lead time for NSVDTC123JM3T5G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NSVDTC123JM3T5G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-NSVDTC123JM3T5G |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Transistor Type: | NPN - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur: | SOT-723 |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101 |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 47 kOhms |
| Résistance - Base (R1): | 2.2 kOhms |
| Puissance - Max: | 260mW |
| Package / Boîte: | SOT-723 |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 4 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes NSVDTC123JM3T5G
Latest Nouvelles
- Onsemi a lancé le premier emballage de péage au monde 650 V en carbure de silicium MOSFET
- Le kit de développement de moteurs d'ON Semiconductor se concentre d'abord sur l'efficacité énergétique
- La plate-forme lidar à temps de vol direct (dToF) de photomultiplicateur au silicium (SiPM) d'ON Semiconductor fournit des conceptions prêtes à l'emploi pour les applications industrielles
- ON Semiconductor et Theta Power Systems International établissent un partenariat pour les applications de contrôle moteur
- ON Semiconductor nomme Hassane El-Khoury au poste de PDG (PDG) successeur