NE3514S02-T1C-A
- Modèle de produit:
- NE3514S02-T1C-A
- Fabricant:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- La description:
- HJ-FET NCH 10DB S02
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 89479 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.NE3514S02-T1C-A.pdf2.NE3514S02-T1C-A.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-NE3514S02-T1C-A |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Test: | 2V |
| Tension - Nominale: | 4V |
| Transistor Type: | HFET |
| Package composant fournisseur: | S02 |
| Séries: | - |
| Alimentation - sortie: | - |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 4-SMD, Flat Leads |
| Noise Figure: | 0.75dB |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gain: | 10dB |
| La fréquence: | 20GHz |
| Description détaillée: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 20GHz 10dB S02 |
| Note actuelle: | 70mA |
| Courant - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
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