MUN5235T1G
- Modèle de produit:
- MUN5235T1G
- Fabricant:
- ON Semiconductor
- La description:
- TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 59622 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- MUN5235T1G.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-MUN5235T1G |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Transistor Type: | NPN - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur: | SC-70-3 (SOT323) |
| Séries: | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 47 kOhms |
| Résistance - Base (R1): | 2.2 kOhms |
| Puissance - Max: | 202mW |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | SC-70, SOT-323 |
| Autres noms: | MUN5235T1GOSCT |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 5 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323) |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Numéro de pièce de base: | MUN52**T |
| Email: | [email protected] |
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