Numéro de pièce interne | RO-MTA4ATF51264AZ-2G6E1 |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Écrire le temps de cycle - Word, Page: | - |
Tension - Alimentation: | 1.2V |
La technologie: | SDRAM - DDR4 |
Séries: | - |
Température de fonctionnement: | 0°C ~ 95°C (TC) |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
Type de mémoire: | Volatile |
Taille mémoire: | 32Gb (512M x 64) |
Interface mémoire: | Parallel |
Format de mémoire: | DRAM |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée: | SDRAM - DDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) Parallel 1333MHz |
Fréquence d'horloge: | 1333MHz |
Email: | [email protected] |