Numéro de pièce interne | RO-MT42L64M64D2LL-18 IT:C TR |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Écrire le temps de cycle - Word, Page: | - |
Tension - Alimentation: | 1.14 V ~ 1.3 V |
La technologie: | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Séries: | - |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Autres noms: | MT42L64M64D2LL-18 IT:C TR-ND MT42L64M64D2LL-18IT:CTR |
Température de fonctionnement: | -25°C ~ 85°C (TC) |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
Type de mémoire: | Volatile |
Taille mémoire: | 4Gb (64M x 64) |
Interface mémoire: | Parallel |
Format de mémoire: | DRAM |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée: | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (64M x 64) Parallel 533MHz |
Fréquence d'horloge: | 533MHz |
Email: | [email protected] |