MRF8P20160HR3
- Modèle de produit:
- MRF8P20160HR3
- Fabricant:
- NXP Semiconductors / Freescale
- La description:
- FET RF 2CH 65V 1.92GHZ
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 33160 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- MRF8P20160HR3.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-MRF8P20160HR3 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Test: | 28V |
| Tension - Nominale: | 65V |
| Transistor Type: | LDMOS (Dual) |
| Package composant fournisseur: | NI-780-4 |
| Séries: | - |
| Alimentation - sortie: | 37W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | NI-780-4 |
| Autres noms: | 935317195128 |
| Noise Figure: | - |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gain: | 16.5dB |
| La fréquence: | 1.92GHz |
| Description détaillée: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 550mA 1.92GHz 16.5dB 37W NI-780-4 |
| Note actuelle: | - |
| Courant - Test: | 550mA |
| Numéro de pièce de base: | MRF8P20160 |
| Email: | [email protected] |
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