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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - RF > MRF555GT
MRF555GT
Modèle de produit:
MRF555GT
Fabricant:
Microsemi
La description:
RF NPN TRANSISTOR
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
88443 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
MRF555GT.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-MRF555GT
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):16V
Transistor Type:NPN
Séries:-
Puissance - Max:3W
Température de fonctionnement:-
Noise Figure (dB Typ @ f):-
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Gain:12.5dB
Fréquence - Transition:470MHz
Description détaillée:RF Transistor NPN 16V 500mA 470MHz 3W
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:50 @ 100mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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