Numéro de pièce interne | RO-MR4A16BYS35 |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 35ns |
Tension - Alimentation: | 3 V ~ 3.6 V |
La technologie: | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Package composant fournisseur: | 54-TSOP2 |
Séries: | - |
Emballage: | Tray |
Package / Boîte: | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Autres noms: | 819-1054 MR4A16BYS35-ND |
Température de fonctionnement: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
Type de mémoire: | Non-Volatile |
Taille mémoire: | 16Mb (1M x 16) |
Interface mémoire: | Parallel |
Format de mémoire: | RAM |
Délai de livraison standard du fabricant: | 14 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée: | MRAM (Magnetoresistive RAM) Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 35ns 54-TSOP2 |
Temps d'accès: | 35ns |
Email: | [email protected] |