Numéro de pièce interne | RO-JANTXV2N2218AL |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 50mA, 500mA |
Transistor Type: | NPN |
Package composant fournisseur: | TO-5 |
Séries: | Military, MIL-PRF-19500/251 |
Puissance - Max: | 800mW |
Emballage: | Bulk |
Package / Boîte: | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Autres noms: | 1086-20671 1086-20671-MIL |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 23 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Fréquence - Transition: | - |
Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 800mW Through Hole TO-5 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 40 @ 150mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 10nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 800mA |
Email: | [email protected] |