JAN1N6622U
Modèle de produit:
JAN1N6622U
Fabricant:
Microsemi
La description:
DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF
Statut RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
la quantité en dépôt:
86735 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
JAN1N6622U.pdf

introduction

We can supply JAN1N6622U, use the request quote form to request JAN1N6622U pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number JAN1N6622U.The price and lead time for JAN1N6622U depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# JAN1N6622U.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spécifications

Numéro de pièce interne RO-JAN1N6622U
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Inverse de crête (max):Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.2A
Tension - Ventilation:D-5A
Séries:Military, MIL-PRF-19500/585
État RoHS:Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr):Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F:-
Polarisation:SQ-MELF, A
Autres noms:1086-19960
1086-19960-MIL
Température d'utilisation - Jonction:30ns
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:JAN1N6622U
Description élargie:Diode Standard 600V 1.2A Surface Mount D-5A
Configuration diode:500nA @ 600V
La description:DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF
Courant - fuite, inverse à Vr:1.4V @ 1.2A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):600V
Capacité à Vr, F:-65°C ~ 150°C
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes