JAN1N6622US
Modèle de produit:
JAN1N6622US
Fabricant:
Microsemi
La description:
DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
Statut RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
la quantité en dépôt:
30398 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
JAN1N6622US.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-JAN1N6622US
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Inverse de crête (max):Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.2A
Tension - Ventilation:D-5A
Séries:Military, MIL-PRF-19500/585
État RoHS:Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr):Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F:10pF @ 10V, 1MHz
Polarisation:SQ-MELF, A
Autres noms:1086-19963
1086-19963-MIL
Température d'utilisation - Jonction:30ns
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:JAN1N6622US
Description élargie:Diode Standard 660V 1.2A Surface Mount D-5A
Configuration diode:500nA @ 660V
La description:DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
Courant - fuite, inverse à Vr:1.4V @ 1.2A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):660V
Capacité à Vr, F:-65°C ~ 150°C
Email:[email protected]

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