Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > JAN1N3671R
JAN1N3671R
Modèle de produit:
JAN1N3671R
Fabricant:
Microsemi
La description:
DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
Statut RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
la quantité en dépôt:
61826 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
JAN1N3671R.pdf
Enquête

introduction

We can supply JAN1N3671R, use the request quote form to request JAN1N3671R pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number JAN1N3671R.The price and lead time for JAN1N3671R depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# JAN1N3671R.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spécifications

Numéro de pièce interne RO-JAN1N3671R
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.35V @ 38A
Tension - inverse (Vr) (max):800V
Package composant fournisseur:DO-203AA (DO-4)
La vitesse:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries:Military, MIL-PRF-19500/260
Emballage:Bulk
Package / Boîte:DO-203AA, DO-4, Stud
Autres noms:1086-16807
1086-16807-MIL
Température d'utilisation - Jonction:-65°C ~ 150°C
Type de montage:Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode:Standard, Reverse Polarity
Description détaillée:Diode Standard, Reverse Polarity 800V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
Courant - fuite, inverse à Vr:5µA @ 800V
Courant - Rectifié moyenne (Io):12A
Capacité à Vr, F:-
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes JAN1N3671R

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
JAN1N3644 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL Enquête
JAN1N3821AUR-1 Image JAN1N3821AUR-1 Microsemi DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB Enquête
JAN1N3613 Image JAN1N3613 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Enquête
JAN1N3673AR Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA Enquête
JAN1N3611 Image JAN1N3611 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Enquête
JAN1N3646 Microsemi DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL Enquête
JAN1N3614 Image JAN1N3614 Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL Enquête
JAN1N3645 Microsemi DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL Enquête
JAN1N3612 Image JAN1N3612 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Enquête
JAN1N3766 Microsemi DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB Enquête
JAN1N3821A-1 Image JAN1N3821A-1 Microsemi Corporation DIODE ZENER 3.3V 1W DO41 Enquête
JAN1N3768R Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB Enquête
JAN1N3671A Microsemi DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA Enquête
JAN1N3821CUR-1 Image JAN1N3821CUR-1 Microsemi DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB Enquête
JAN1N3671AR Microsemi DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA Enquête
JAN1N3821C-1 Image JAN1N3821C-1 Microsemi Corporation DIODE ZENER 3.3V 1W DO41 Enquête
JAN1N3766R Microsemi DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB Enquête
JAN1N3647 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL Enquête
JAN1N3673A Microsemi DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA Enquête
JAN1N3768 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB Enquête

Latest Nouvelles