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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFN50N120SK
IXFN50N120SK
IXFN50N120SK
Modèle de produit:
IXFN50N120SK
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH
la quantité en dépôt:
34706 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFN50N120SK.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-IXFN50N120SK
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.8V @ 10mA
Vgs (Max):+20V, -5V
La technologie:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Package composant fournisseur:SOT-227B
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:52 mOhm @ 40A, 20V
Dissipation de puissance (max):-
Package / Boîte:SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1895pF @ 1000V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:115nC @ 20V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):20V
Tension drain-source (Vdss):1200V
Description détaillée:N-Channel 1200V 48A (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:48A (Tc)
Email:[email protected]

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