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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFK200N10P
IXFK200N10P
IXFK200N10P
Modèle de produit:
IXFK200N10P
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
49620 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFK200N10P.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-IXFK200N10P
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-264AA (IXFK)
Séries:HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7.5 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max):830W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:7600pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:235nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:N-Channel 100V 200A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:200A (Tc)
Email:[email protected]

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