IXDI602SI
- Modèle de produit:
- IXDI602SI
- Fabricant:
- IXYS Integrated Circuits Division
- La description:
- 2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 46007 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- IXDI602SI.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-IXDI602SI |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Alimentation: | 4.5 V ~ 35 V |
| Package composant fournisseur: | 8-SOIC-EP |
| Séries: | - |
| Rise / Fall Time (Typ): | 7.5ns, 6.5ns |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Nombre de conducteurs: | 2 |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 7 Weeks |
| Tension logique - VIL, VIH: | 0.8V, 3V |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée: | Inverting |
| Type de porte: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Configuration pilotée: | Low-Side |
| Description détaillée: | Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC-EP |
| Current - Peak Output (Source, Évier): | 2A, 2A |
| courant de charge: | Independent |
| Email: | [email protected] |
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