IS43LD16640A-3BL
IS43LD16640A-3BL
Modèle de produit:
IS43LD16640A-3BL
Fabricant:
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
La description:
IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
32769 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
IS43LD16640A-3BL.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-IS43LD16640A-3BL
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Écrire le temps de cycle - Word, Page:15ns
Tension - Alimentation:1.14 V ~ 1.95 V
La technologie:SDRAM - Mobile LPDDR2
Package composant fournisseur:134-TFBGA (10x11.5)
Séries:-
Emballage:Tray
Package / Boîte:134-TFBGA
Température de fonctionnement:0°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:1Gb (64M x 16)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 333MHz 134-TFBGA (10x11.5)
Fréquence d'horloge:333MHz
Email:[email protected]

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