Numéro de pièce interne | RO-IDT71V416L10BEI |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 10ns |
Tension - Alimentation: | 3 V ~ 3.6 V |
La technologie: | SRAM - Asynchronous |
Package composant fournisseur: | 48-CABGA (9x9) |
Séries: | - |
Emballage: | Tray |
Package / Boîte: | 48-TFBGA |
Autres noms: | 71V416L10BEI |
Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
Type de mémoire: | Volatile |
Taille mémoire: | 4Mb (256K x 16) |
Interface mémoire: | Parallel |
Format de mémoire: | SRAM |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Description détaillée: | SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 48-CABGA (9x9) |
Numéro de pièce de base: | IDT71V416 |
Temps d'accès: | 10ns |
Email: | [email protected] |