HN4K03JUTE85LF
- Modèle de produit:
- HN4K03JUTE85LF
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 59346 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- HN4K03JUTE85LF.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-HN4K03JUTE85LF |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | 10V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | USV |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12 Ohm @ 10mA, 2.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 200mW (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Autres noms: | HN4K03JU(TE85L,F) HN4K03JUTE85LFTR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 8.5pF @ 3V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 2.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | N-Channel 20V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount USV |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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