HN4K03JUTE85LF
- Número de pieza:
- HN4K03JUTE85LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 59346 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- HN4K03JUTE85LF.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-HN4K03JUTE85LF |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
| Vgs (Max): | 10V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | USV |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 12 Ohm @ 10mA, 2.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 200mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Otros nombres: | HN4K03JU(TE85L,F) HN4K03JUTE85LFTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 8.5pF @ 3V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción detallada: | N-Channel 20V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount USV |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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