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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APTM100DA18CT1G
APTM100DA18CT1G
Modèle de produit:
APTM100DA18CT1G
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
79750 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
APTM100DA18CT1G.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-APTM100DA18CT1G
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SP1
Séries:POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:216 mOhm @ 33A, 10V
Dissipation de puissance (max):657W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SP1
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:14800pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:570nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):1000V
Description détaillée:N-Channel 1000V 40A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

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