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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - TECJ > 2N4339-E3
2N4339-E3
Modèle de produit:
2N4339-E3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
48565 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
2N4339-E3.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-2N4339-E3
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Cutoff (VGS off) @ Id:600mV @ 100nA
Tension - Ventilation (V (BR) ESG):50V
Package composant fournisseur:TO-206AA (TO-18)
Séries:-
Puissance - Max:300mW
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:7pF @ 15V
type de FET:N-Channel
Description détaillée:JFET N-Channel 50V 300mW Through Hole TO-206AA (TO-18)
Courant - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0):500µA @ 15V
Email:[email protected]

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