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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - RF > 2729-170
2729-170
Modèle de produit:
2729-170
Fabricant:
Microsemi
La description:
TRANS RF BIPO 570W 17A 55KS1
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
53652 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
2729-170.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-2729-170
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):17A
Tension - Ventilation:55KS-1
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:65V
Séries:-
État RoHS:Bulk
Resistor - Base (R1) (Ohms):2.7GHz ~ 2.9GHz
Puissance - Max:570W
Polarisation:55KS-1
Température de fonctionnement:200°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:2729-170
Gain:-
Fréquence - Transition:18 @ 60mA, 5V
type de FET:8.2dB ~ 8.6dB
Description élargie:RF Transistor NPN 65V 17A 2.7GHz ~ 2.9GHz 570W Chassis Mount 55KS-1
La description:TRANS RF BIPO 570W 17A 55KS1
Courant - Collecteur (Ic) (max):NPN
Email:[email protected]

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