Sisäinen osanumero | RO-PHB38N02LT,118 |
---|---|
Kunto | Original New |
Maa alkuperä | Contact us |
Alkuun Merkintä | email us |
Korvaus | See datasheet |
Jännite - Testi: | 800pF @ 20V |
Jännite - Breakdown: | D2PAK |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 16 mOhm @ 25A, 5V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Sarja: | TrenchMOS™ |
RoHS-tila: | Tape & Reel (TR) |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 44.7A (Tc) |
Polarisaatio: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Muut nimet: | 568-2191-2 934057586118 PHB38N02LT /T3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | PHB38N02LT,118 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 15.1nC @ 5V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.5V @ 250µA |
FET Ominaisuus: | N-Channel |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 20V 44.7A (Tc) 57.6W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Valua lähde jännite (Vdss): | - |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 20V |
kapasitanssi Ratio: | 57.6W (Tc) |
Email: | [email protected] |