2N5551RLRA
- Osa numero:
- 2N5551RLRA
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Kuvaus:
- TRANS NPN 160V 0.6A TO92
- RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 64974 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- 2N5551RLRA.pdf
esittely
We can supply 2N5551RLRA, use the request quote form to request 2N5551RLRA pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number 2N5551RLRA.The price and lead time for 2N5551RLRA depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# 2N5551RLRA.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-2N5551RLRA |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 160V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 200mV @ 5mA, 50mA |
| transistori tyyppi: | NPN |
| Toimittaja Device Package: | TO-92-3 |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 625mW |
| Pakkaus: | Cut Tape (CT) |
| Pakkaus / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Muut nimet: | 2N5551RLRAOSCT |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | 300MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 50nA (ICBO) |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 600mA |
| Perusosan osanumero: | 2N5551 |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat 2N5551RLRA
Latest News
- Onsemi julkaisi maailman ensimmäisen tietullipakkauksen 650 V: n piikarbidi Mosfet
- ON Semiconductorin moottorikehityspaketti keskittyy ensin energiatehokkuuteen
- ON Semiconductor's silicon photomultiplier (SiPM) direct time-of-flight (dToF) lidar -alusta tarjoaa valmiita malleja teollisiin sovelluksiin
- ON Semiconductor ja Theta Power Systems International luovat kumppanuuden moottorinohjaussovelluksissa
- ON Semiconductor nimittää Hassane El-Khouryn seuraajajohtajaksi (toimitusjohtaja)