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Ultra-Micro Mosfet en Nexperia reduce el 36%

  • Autor:ROGER
  • Liberar:2021-11-01

Nexperia En la producción de producción de infraestructura semiconductora emitió una serie de productos MOSFET, con paquetes DFN0606 ultraal pequeños, adecuados para aplicaciones de productos móviles y portátiles, incluidos dispositivos portátiles. Estos dispositivos también proporcionan RDS de resistencia de bajo conductor (ON), que utiliza un espaciado de 0,35 mm de uso común para simplificar el proceso de ensamblaje de PCB.

La serie PMH MOSFET utiliza un paquete DFN0606, que es de solo 0,62 x 0,62 mm, lo que ahorra más del 36% del espacio en comparación con el dispositivo DFN1006 de generación anterior. Debido a la adopción del proceso avanzado, estos nuevos dispositivos proporcionan RDS de resistencia de bajo conductor (ON), que se reduce en más del 60% en comparación con los productos de los competidores, y también tienen un excelente rendimiento de ESD, un voltaje VGS bajo bajo bajo. Como 0,7 V. Umbral, este parámetro es crítico para la aplicación de producto portátil de bajo impulsado.

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NEXPERIA Product Manager Sandy Wang Revisión: "La nueva generación de dispositivos portátiles continúa atravesando los límites de la tecnología de electrónica de consumo. Los teléfonos inteligentes, los relojes inteligentes, los rastreadores de fitness y otras tecnologías innovadoras requieren Mosfets de miniaturización para brindar un rendimiento y la eficiencia líderes, cada vez más complejos. funciones Nexperia tiene capacidades de alta capacidad y fabricación, lo que permite la expansión para maximizar la demanda del mercado ".

Los nueve dispositivos PMH encapsulados en el nuevo DFN0606 ahora están disponibles.