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Ultra-Micro-MOSFET in Nexperia reduziert 36%

  • Autor:ROGER.
  • Freigabe auf:2021-11-01

Nexperia in der Herstellung von Halbleiterinfrastrukturproduktion erteilte eine Reihe von MOSFET-Produkten mit ultra-kleinen DFN0606-Paketen, die für mobile und tragbare Produktanwendungen geeignet sind, einschließlich tragbarer Geräte. Diese Geräte bieten auch einen niedrig leitenden Widerstand RDS (ON), der einen üblicherweise verwendeten 0,35 mm-Abstand verwendet, um den PCB-Montageprozess zu vereinfachen.

Der MOSFET der PMH-Serie verwendet ein DFN0606-Paket, das nur 0,62 × 0,62 mm beträgt, was mehr als 36% des Raums im Vergleich zum Vorgängergeneration DFN1006-Gerät spart. Aufgrund der Annahme des fortschrittlichen Prozesses bieten diese neuen Geräte einen niedrig leitenden Widerstand RDS (ON), der im Vergleich zu den Mitfonds-Produkten um mehr als 60% reduziert ist, und sie haben auch eine ausgezeichnete ESD-Leistung, eine niedrige VGS-Spannung mit niedrigem Niedrig Als 0,7 V-Schwellenwert ist dieser Parameter für die tiefe tragbare Produktanwendung von entscheidender Bedeutung.

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Nexperia Product Manager Sandy Wang Review: "Die neue Generation von tragbaren Geräten bricht weiterhin durch die Grenzen der Unterhaltungselektronik-Technologie. Smartphones, intelligente Uhren, Fitness-Tracker und andere innovative Technologien erfordern Miniaturisierungs-MOSFETs, um führende Leistung und Effizienz so zu bieten Funktionen. Nexperia hat hohe Kapazitäts- und Fertigungsfunktionen, wodurch die Erweiterung der Marktnachfrage maximiert wird. "

Die in der neuen DFN0606 eingekapselten neun PMH-Geräte sind jetzt verfügbar.