VWM200-01P
Número de pieza:
VWM200-01P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
71738 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
VWM200-01P.pdf

Introducción

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Especificaciones

Número de parte interno RO-VWM200-01P
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 2mA
Paquete del dispositivo:V2-PAK
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:5.2 mOhm @ 100A, 10V
Potencia - Max:-
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:V2-PAK
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:430nC @ 10V
Tipo FET:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Característica de FET:Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción detallada:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 210A Through Hole V2-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:210A
Email:[email protected]

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