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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices > UMT1NTN
UMT1NTN
UMT1NTN
Número de pieza:
UMT1NTN
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
39081 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.UMT1NTN.pdf2.UMT1NTN.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Número de parte interno RO-UMT1NTN
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:500mV @ 5mA, 50mA
Tipo de transistor:2 PNP (Dual)
Paquete del dispositivo:UMT6
Serie:-
Potencia - Max:150mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres:UMT1NTNTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:140MHz
Descripción detallada:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 140MHz 150mW Surface Mount UMT6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:120 @ 1mA, 6V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):150mA
Número de pieza base:*MT1
Email:[email protected]

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